湿法工艺主要用于去除芯片制造中上一道工序所遗留的超微细颗粒污染物、金属残留、有机物残留物，去除光阻掩膜或残留，也可凭证需要举行硅氧化膜、氮化硅或金属等薄膜质料的湿法侵蚀，为下一步工序准备好优异的外貌条件。洗濯一ban接纳化学和物理作用力相团结的要领实现，在洗濯时既要有很好的侵蚀选择性，高效地去除超微细颗粒物及州残留物的能力，又不能对晶片外貌的细腻图形结结构成损伤。湿法侵蚀速率、侵蚀匀称性，晶圆正、反面交织污染的控制，洗濯效率等都是至关主要的工艺要素。
九州酷游可提供多种类型的单片洗濯装备和槽式洗濯装备，已普遍应用于集成电路、半导体照明、先进封装、微机电系统、电力电子、化合物和功率器件等领域。
